IRF540NSTRRPBF芯片是一种常见的N沟道MOSFET功率晶体管，常用于电源管理和功率放大电路中。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的电压容忍性，适用于各种工业和消费类电子设备。
IRF540NSTRRPBF芯片采用先进的N沟道MOSFET技术，能够提供稳定可靠的性能。其低导通电阻和高开关速度使其成为理想的功率开关器件，能够有效地控制电流和电压。此外，该芯片还具有良好的耐压特性，能够在高电压环境下稳定工作。
在电源管理领域，IRF540NSTRRPBF芯片常用于直流-直流转换器、电源逆变器和电源放大器等电路中。其稳定的性能和高效的功率转换能力，使其成为许多电子设备的首选器件。
总之，IRF540NSTRRPBF芯片是一种功能强大、性能稳定的N沟道MOSFET功率晶体管，适用于各种工业和消费类电子设备。它的低导通电阻、高开关速度和良好的电压容忍性，使其在电源管理和功率放大电路中发挥重要作用。
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1960 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRF540
