FDP023N08B-F102是一款高性能、可靠性强的半导体产品，广泛应用于各种电子设备中。
FDP023N08B-F102采用先进的半导体技术，具有出色的功率性能和低电阻特性。它能够在高电压和高电流条件下工作，同时具备较低的开启电压和导通电阻。这使得FDP023N08B-F102成为理想的选择，适用于各种功率电子应用，如电源管理、电机驱动和工业自动化等领域。
FDP023N08B-F102还具有优异的热特性和可靠性。它采用了先进的散热设计，能够有效地散发热量，保持器件在正常工作温度下的稳定性。此外，FDP023N08B-F102还具备较长的使用寿命和较低的故障率，可满足各种严苛的工作环境要求。
除了卓越的性能和可靠性，FDP023N08B-F102还具备便于安装和使用的特点。它采用了标准的封装和引脚布局，方便用户进行焊接和连接。同时，FDP023N08B-F102还提供了详细的技术规格和应用说明，帮助用户更好地理解和应用该产品。
总之，FDP023N08B-F102是一款卓越的分立半导体产品，具有出色的功率性能、可靠性和便利性。它在各种电子设备中广泛应用，为电源管理、电机驱动和工业自动化等领域提供强大的支持。无论是在性能还是在可靠性方面，FDP023N08B-F102都是您的理想选择。
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.35 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13765 pF @ 37.5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
245W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP023
