分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop?
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
275 W
开关能量
1.5mJ（开），500μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td（开/关）值
25ns/172ns
测试条件
400V，50A，12 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
81 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
基本产品编号
IKW50N65
