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NTJD5121NT1G

发布时间2022-7-6 10:20:00关键词:NTJD5121NT1G
摘要

NTJD5121NT1G 原装正品 支持验货

NTJD5121NT1G

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商

onsemi

系列

-

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel? 得捷定制卷带

产品状态

在售

FET 类型

2 N-通道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

295mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

1.6 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

26pF @ 20V

功率 - 最大值

250mW

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

基本产品编号

NTJD5121

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